R6006KND3TL1（ROHM）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：R6006KND3TL1

原始制造厂商：ROHM，罗姆

技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 6A TO252

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载R6006KND3TL1的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：R6006KND3TL1

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 6A TO252

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：830 毫欧 @ 3A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：70W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：TO-252

R6006KND3TL1均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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