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图片信息

NVMFWD040N10MCLT1G
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:NVMFWD040N10MCLT1G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:PTNG 100V LL SO8FL DUAL
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.1A（Ta），21A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 26A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:520pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:3.2W（Ta），36W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
  • NVMFWD040N10MCLT1G均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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