NGTB50N65S1WG（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：NGTB50N65S1WG

技术标准参数：IGBT TRENCH 650V 140A TO247

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：NGTB50N65S1WG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH 650V 140A TO247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：沟道

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：140A

电流-集电极脉冲(Icm)：140A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，50A

功率-最大值：300W

开关能量：1.25mJ（开），530μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：128nC

25°C时Td（开/关）值：75ns/128ns

测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：70ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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