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图片信息
NGTB40N60L2WG图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:NGTB40N60L2WG
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载NGTB40N60L2WG的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:NGTB40N60L2WG
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:最後搶購
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):80A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):160A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A
  • 功率-最大值:417W
  • 开关能量:1.17mJ(开),280μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:228nC
  • 25°C时Td(开/关)值:98ns/213ns
  • 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):73ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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