NGD8209NT4G（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：NGD8209NT4G

技术标准参数：IGBT 410V 12A 125W DPAK-3

产品应用分类：IGBT - 单路

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技术参数详解：

ON安森美半导体完整型号: NGD8209NT4G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: IGBT 410V 12A 125W DPAK-3

系列: -

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿（最大值）: 445V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 12A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 30A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.3V @ 4.5V，10A

功率 - 最大值: 94W

开关能量: -

输入类型: 逻辑

栅极电荷: -

25°C 时 Td（开/关）值: -

测试条件: -

反向恢复时间（trr）: -

产品封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型: 表面贴装

供应商器件封装: DPAK

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