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图片信息
MCH5837-TL-E图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:MCH5837-TL-E
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5
  • 产品应用分类:FET - 单
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  • 技术参数详解:
  • ON安森美半导体完整型号: MCH5837-TL-E
    制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
    功能总体简述: MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5
    系列: -
    FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能: 二极管(隔离式),逻辑电平门
    漏源极电压(Vdss): 20V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2A(Ta)
    不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 145 毫欧 @ 1A,4V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
    不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 1.8nC @ 4V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 115pF @ 10V
    功率 - 最大值: 800mW
    安装类型: 表面贴装
    产品封装: 6-SMD(5引线),扁引线
    供应商器件封装: 5-MCPH
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