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图片信息
FGH50N3图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:FGH50N3
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:IGBT PT 300V 75A TO247-3
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载FGH50N3的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:FGH50N3
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT PT 300V 75A TO247-3
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:PT
  • 电压-集射极击穿(最大值):300V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):75A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):240A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:463W
  • 开关能量:130μJ(开),92μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:180nC
  • 25°C时Td(开/关)值:20ns/135ns
  • 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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