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图片信息

FDMJ1028N
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：FDMJ1028N
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：PowerTrench
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.2A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 3.2A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：200pF @ 10V
  • 功率-最大值：800mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-WFDFN
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