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图片信息

FCPF11N65
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 制造商产品型号:FCPF11N65
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SuperFET
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):11A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):52nC @ 10V
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1490pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):36W(Tc)
  • 工作温度:-
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220F
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