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图片信息

EFC6601R-A-TR
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：EFC6601R-A-TR
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2N-CH EFCP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）：-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：48nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：2W
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-XFBGA，FCBGA
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