AFGY100T65SPD（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：AFGY100T65SPD

技术标准参数：IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：AFGY100T65SPD

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：120A

电流-集电极脉冲(Icm)：300A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，100A

功率-最大值：660W

开关能量：5.1mJ（开），2.7mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：109nC

25°C时Td（开/关）值：36ns/78ns

测试条件：400V，100A，5 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：105ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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