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图片信息

基本技术信息:
技术参数详解:
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA
系列: -
FET 类型: N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS): -
漏源极电压(Vdss): 40V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss): 2.5mA @ 10V
漏极电流(Id) - 最大值: 20mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关): -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 9pF @ 10V
电阻 - RDS(开): -
安装类型: 通孔
产品封装: 3-SIP
供应商器件封装: 3-SPA
功率 - 最大值: 300mW
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