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基本技术信息：
技术参数详解：
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 220nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 12500pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.75W
安装类型: 通孔
产品封装: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
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