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图片信息
2SJ651图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:2SJ651
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML
  • 产品应用分类:FET - 单
  • 点击此处下载2SJ651的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • ON安森美半导体完整型号: 2SJ651
    制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
    功能总体简述: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML
    系列: -
    FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
    FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
    漏源极电压(Vdss): 60V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 20A(Ta)
    不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 60 毫欧 @ 10A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
    不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 45nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2200pF @ 20V
    功率 - 最大值: 2W
    安装类型: 通孔
    产品封装: TO-220-3 整包
    供应商器件封装: TO-220ML
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