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图片信息
PSMN6R9-100YSFQ图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PSMN6R9-100YSFQ
  • 原始制造厂商:Nexperia,安世半导体
  • 技术标准参数:PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载PSMN6R9-100YSFQ的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:PSMN6R9-100YSFQ
  • 制造商:Nexperia USA Inc.
  • 描述:PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):90A(Tj)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
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