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图片信息

PSMN5R0-100ES
Nexperia 订单到达，马上发货

基本技术信息：

技术参数详解：

  • Nexperia公司器件型号：PSMN5R0-100ES,127
  • 制造商：Nexperia（安世半导体）
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：-
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：170nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9900pF @ 50V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：338W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 25A，10V
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • Nexperia公司标准封装：I2PAK
  • 封装形式：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
  • PSMN5R0-100ES的标准包装数量(SPQ)：- PCS
  • PSMN5R0-100ES均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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