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图片信息

PSMN3R3-100SSFJ
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 型号:PSMN3R3-100SSFJ
  • 品牌:Nexperia USA Inc. (Nexperia,安世半导体)
  • 封装:LFPAK88(SOT1235)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.3 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):159 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9940 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):341W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:LFPAK88(SOT1235)
  • 封装/外壳:SOT-1235
  • PSMN3R3-100SSFJ均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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