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图片信息

PMZ1000UN
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • Nexperia公司器件型号：PMZ1000UN,315
  • 制造商：Nexperia（安世半导体）
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH SOT883
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：-
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：480mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.89nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：43pF @ 25V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 200mA，4.5V
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：DFN1006-3
  • 封装形式：SC-101，SOT-883
  • PMZ1000UN的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS
  • PMZ1000UN均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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