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图片信息

PMPB06R2ENZ
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:PMPB06R2ENZ
  • 品牌:Nexperia USA Inc. (Nexperia,安世半导体)
  • 封装:DFN2020M-6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:PMPB06R2EN/SOT1220-2/DFN2020M-
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.4 毫欧 @ 13A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:914 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），12.5W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DFN2020M-6
  • 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
  • PMPB06R2ENZ均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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