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图片信息

PMGD370XN,115
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 型号:PMGD370XN,115
  • 品牌:Nexperia USA Inc. (Nexperia,安世半导体)
  • 封装:6-TSSOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):740mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):440 毫欧 @ 200mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.65nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):37pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:410mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:6-TSSOP
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