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图片信息

PHKD6N02LT
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • Nexperia公司器件型号：PHKD6N02LT,518
  • 制造商：Nexperia（安世半导体）
  • 功能总体描述：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  • 所属类别：FET，MOSFET - 阵列-晶体管
  • 系列：TrenchMOS??
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10.9A
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 3A，5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15.3nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：950pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：4.17W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • Nexperia公司标准封装：8-SO
  • PHKD6N02LT的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS
  • PHKD6N02LT均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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