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图片信息

PHB18NQ10T
Nexperia 订单到达，马上发货

基本技术信息：

技术参数详解：

  • Nexperia公司器件型号：PHB18NQ10T,118
  • 制造商：Nexperia（安世半导体）
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：TrenchMOS??
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：21nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：633pF @ 25V
  • Vgs（最大值）：-
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：79W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 9A，10V
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：D2PAK
  • 封装形式：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • PHB18NQ10T的标准包装数量(SPQ)：4800 PCS
  • PHB18NQ10T均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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