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图片信息
PEMT1,115图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PEMT1,115
  • 原始制造厂商:Nexperia,安世半导体
  • 技术标准参数:TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
  • 产品应用分类:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
  • 点击此处下载PEMT1,115的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:PEMT1,115
  • 制造商:Nexperia USA Inc.
  • 描述:TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
  • 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:2 PNP(双)
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):40V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA
  • 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V
  • 功率-最大值:300mW
  • 频率-跃迁:100MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SOT-563,SOT-666
  • PEMT1,115均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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