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图片信息
PDTA115EMB图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PDTA115EMB
  • 原始制造厂商:Nexperia,安世半导体
  • 技术标准参数:TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
  • 产品应用分类:双极 (BJT) - 单,预偏置-晶体管
  • 点击此处下载PDTA115EMB的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Nexperia公司器件型号:PDTA115EMB,315
  • 制造商:Nexperia USA Inc.(安世半导体)-2017年从NXP分离
  • 功能总体描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
  • 所属类别:双极 (BJT) - 单,预偏置-晶体管
  • 系列:-
  • 零件状态:在售
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):100k
  • 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):100k
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V
  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1μA
  • 频率 - 跃迁:180MHz
  • 功率 - 最大值:250mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装形式:3-XFDFN
  • Nexperia公司标准封装:3-DFN1006B(0.6x1)
  • PDTA115EMB的标准包装数量(SPQ):10000 PCS
  • PDTA115EMB均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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