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图片信息

BST82
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • Nexperia公司器件型号:BST82,235
  • 制造商:Nexperia(安世半导体)
  • 功能总体描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
  • 所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
  • 系列:TrenchMOS??
  • 零件状态:在售
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):-
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V
  • Vgs(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):830mW(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • Nexperia公司标准封装:TO-236AB(SOT23)
  • 封装形式:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • BST82的标准包装数量(SPQ):20000 PCS
  • BST82均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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