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图片信息

NVG037A12TC
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:NVG037A12TC
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:6-PQFN（3x5）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GANFET DISCRETE 120V 3.7MOHM PQF
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:120 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):71A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 18A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.9V @ 7mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）:+6V，-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 60 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:6-PQFN（3x5）
  • 封装/外壳:6-PowerTQFN
  • NVG037A12TC均从Navitas代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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