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图片信息

NV6027
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:NV6027
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:8-PDFN（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:170 毫欧 @ 6A，7V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 12mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.3 nC @ 6 V
  • Vgs（最大值）:+7V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:73W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-PDFN（8x8）
  • 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
  • NV6027均从Navitas代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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