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图片信息

GA10JT12-263
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:GA10JT12-263
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:TRANS SJT 1200V 25A
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:-
  • 技术:SiC（碳化硅结晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 10A
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1403 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:-
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