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图片信息

PMWD20XN,118
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:PMWD20XN,118
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4.2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:740pF @ 16V
  • 功率 - 最大值:4.2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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