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图片信息

PMV45EN2R
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • NXP恩智浦完整型号: PMV45EN2R
  • 制造商:NXP(恩智浦半导体)
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT23
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss): 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.1A(Ta)
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 42 毫欧 @ 4.1A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 6.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 209pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 510mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装: TO-236AB(SOT23)
  • PMV45EN2R均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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