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图片信息

PMDXB550UNEZ
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • NXP恩智浦完整型号: PMDXB550UNEZ
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V DUAL DFN1010B-6
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 590mA
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 670 毫欧 @ 590mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.05nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 30.3pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 285mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装: DFN1010B-6
  • PMDXB550UNEZ均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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