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图片信息

PMDT290UCE,115
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • NXP恩智浦完整型号：PMDT290UCE,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 20V SOT666
  • 系列：-
  • FET 类型：N 和 P 沟道
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：800mA，550mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 500mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：0.95V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.68nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：83pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装：SOT-666
  • PMDT290UCE,115均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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