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图片信息
PHD96NQ03LT,118图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PHD96NQ03LT,118
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载PHD96NQ03LT,118的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:PHD96NQ03LT,118
  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:TrenchMOS?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):75A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.95 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):26.7nC @ 5V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2200pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):115W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:DPAK
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