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图片信息
MRFE8VP8600HSR5图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：MRFE8VP8600HSR5
  • 原始制造厂商：NXP，恩智浦半导体
  • 技术标准参数：BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
  • 点击此处下载MRFE8VP8600HSR5的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • 制造商产品型号：MRFE8VP8600HSR5
  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 描述：BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 频率：860MHz
  • 增益：21dB
  • 电压-测试：50V
  • 额定电流（安培）：20μA
  • 噪声系数：-
  • 电流-测试：1.4A
  • 功率-输出：140W
  • 电压-额定：115V
  • 封装：NI-1230-4S
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