BLF6G10LS-200RN,11（NXP）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：BLF6G10LS-200RN,11

技术标准参数：TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B

产品应用分类：RF场效应管

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技术参数详解：

NXP恩智浦完整型号：BLF6G10LS-200RN,11

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B

系列：-

晶体管类型：LDMOS

频率：871.5MHz ~ 891.5MHz

增益：20dB

电压 - 测试：28V

额定电流：49A

噪声系数：-

电流 - 测试：1.4A

功率 - 输出：40W

电压 - 额定：65V

封装/外壳：SOT-502B

供应商器件封装：SOT502B

BLF6G10LS-200RN,11均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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