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图片信息
JANTXV2N5012S图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:JANTXV2N5012S
  • 原始制造厂商:Microsemi,美高森美
  • 技术标准参数:NPN TRANSISTOR
  • 产品应用分类:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
  • 点击此处下载JANTXV2N5012S的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:JANTXV2N5012S
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:NPN TRANSISTOR
  • 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
  • 产品系列:Military, MIL-PRF-19500/727
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):200mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):700V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):-
  • 电流-集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 25mA,10V
  • 功率-最大值:1W
  • 频率-跃迁:-
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
  • JANTXV2N5012S均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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