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图片信息

APTC60DAM24CT1G
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 制造商产品型号:APTC60DAM24CT1G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP4
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:CoolMOS
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):95A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 47.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):300nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):14400pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):462W(Tc)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 器件封装:SP4
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