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图片信息

APTC60AM83B1G
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：APTC60AM83B1G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：CoolMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）
  • FET功能：超级结
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：83 毫欧 @ 24.5A、 10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 3mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：250nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V
  • 功率-最大值：250W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP1
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