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图片信息

MXLSMBG8.0AE3
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • Microsemi美高森美完整型号:MXLSMBG8.0AE3
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AA
  • 系列:军用, MIL-PRF-19500
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向关态(典型值):8V
  • 电压 - 击穿(最小值):8.89V
  • 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:13.6V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):44.1A
  • 功率 - 峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时的电容:-
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼型
  • 供应商器件封装:SMBG (DO-215AA)
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