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图片信息

APTM08TDUM04PG
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：APTM08TDUM04PG
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：6 N-沟道（3 相桥）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：75V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 60A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：153nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4530pF @ 25V
  • 功率-最大值：138W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP6
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