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图片信息

APT30GS60BRDQ2G
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • Microsemi美高森美完整型号:APT30GS60BRDQ2G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:IGBT 600V 54A 250W SOT227
  • 系列:Thunderbolt IGBT
  • IGBT 类型:NPT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):113A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.15V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:250W
  • Switching Energy:570J (关)
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:145nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/360ns
  • Test Condition:400V, 30A, 9.1 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):25ns
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247 [B]
  • APT30GS60BRDQ2G均从Microchip代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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