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图片信息

LN60A01ES-LF
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • MPS美国芯源半导体完整型号: LN60A01ES-LF
  • 制造厂家名称: Monolithic Power Systems Inc.
  • 功能总体简述: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
  • 系列: -
  • FET 类型: 3 N 沟道，共栅
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80mA
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 190 欧姆 @ 10mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -
  • 功率 - 最大值: 1.3W
  • 安装类型: *
  • 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装: 8-SOIC
  • LN60A01ES-LF均从MPS代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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