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图片信息

SSM6N15FE(TE85L,F)
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 东芝半导体公司完整型号: SSM6N15FE(TE85L,F)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）: 30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100mA
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 欧姆 @ 10mA，4V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 100A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 7.8pF @ 3V
  • 功率 - 最大值: 150mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装: ES6（1.6x1.6）
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