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图片信息

GT10J312(Q)
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:GT10J312(Q)
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A
  • 功率 - 最大值:60 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C 时 Td（开/关）值:400ns/400ns
  • 测试条件:300V，10A，100 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):200 ns
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
  • 供应商器件封装:-
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