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图片信息

NT9001HDAE4S-ES
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 型号:NT9001HDAE4S-ES
  • 品牌:Nisshinbo Micro Devices Inc. (Nisshinbo,日清纺微电子,NJR/JRC)
  • 封装:DFN1212-4-HD
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 二极管类型:反并联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:600 mA
  • 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 2V,100MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):920 mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:4-XFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:DFN1212-4-HD
  • NT9001HDAE4S-ES均从JRC代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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