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图片信息
IRF9Z24NLPBF图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IRF9Z24NLPBF
  • 原始制造厂商:Infineon,英飞凌
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 55V 12A TO262
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载IRF9Z24NLPBF的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:IRF9Z24NLPBF
  • 制造商:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO262
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:HEXFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):55V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):175 毫欧 @ 7.2A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.8W(Ta),45W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-262
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