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图片信息
IPD60R380E6ATMA2图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IPD60R380E6ATMA2
  • 原始制造厂商:Infineon,英飞凌
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载IPD60R380E6ATMA2的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:IPD60R380E6ATMA2
  • 制造商:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:CoolMOS?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 3.8A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 300μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 100V
  • FET功能:超级结
  • 功率耗散(最大值):83W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:PG-TO252-3
  • IPD60R380E6ATMA2均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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