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图片信息
IMBG120R090M1HXTMA1图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IMBG120R090M1HXTMA1
  • 原始制造厂商:Infineon,英飞凌
  • 技术标准参数:TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载IMBG120R090M1HXTMA1的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:IMBG120R090M1HXTMA1
  • 制造商:Infineon Technologies
  • 描述:TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:CoolSiC?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:SiC(碳化硅结晶体管)
  • 漏源电压(Vdss):1.2kV
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):26A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):125 毫欧 @ 8.5A,18V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.7V @ 3.7mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+18V,-15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):763pF @ 800V
  • FET功能:标准
  • 功率耗散(最大值):136W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:PG-TO263-7-12
  • IMBG120R090M1HXTMA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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