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图片信息

IAUCN10S7N025TATMA1
Infineon 订单到达，马上发货

基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:IAUCN10S7N025TATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-LHDSO-10-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:IAUCN10S7N025TATMA1
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):175A（Tj）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 88A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 115A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6600 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:205W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-LHDSO-10-3
  • 封装/外壳:10-LSOP（0.209
  • IAUCN10S7N025TATMA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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