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图片信息

BUZ73L H
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • Infineon英飞凌公司完整型号：BUZ73L H
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
  • 系列：SIPMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 3.5A，5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：840pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：40W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：PG-TO-220-3
  • BUZ73L H均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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